今天不讨论mosfet,讨论一下其他类型的半导体器件。 1. GaAs MESFET 相比较一般mosfet, GaAs器件有着更高的载流子迁移率,这使得载流子移动更快,器件也拥有更快的速度,这为微波通信领域...
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种基本的半导体器件,它由源极(source)、栅极(gate)、漏极(drain)和体区(body或substrate)组成。 MOSFET的电流-电压特性可以通过不同...
一. MOSFET Vt, BODY EFFECT, AND STEEP RETROGRADE DOPING MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的Vt(阈值电压)、Body Effect(体效应)以及Steep Retrograde Doping(陡峭逆向掺杂)是比较关键的概念...
1.MOS中的电流 决定MOSFET电流的一个重要因素是表面反型层中的电子或空穴迁移率,即SURFACE MOBILITIES AND HIGH-MOBILITY FETS。 迁移率描述了在施加电场作用下,载流子在半导体中沿着电场方向...
MOSFET结构和工作原理 1.MOSFET的结构 VGS 来控制沟道的导电性,从而控制漏极电流 ID , 是一种电压控制型器件. 2.MOSFET的工作原理 当 VGS < VT (称为阈值电压)时,源漏之间隔着P区,漏结反偏...
以硅基器件为代表的半导体器件在电子信息技术及产业中的应用使人类社会已进入了信息化、网络化时代. 在全球信息化和经济全球化的进程中, 以通信、计算机、网络、家电为代表的信...
一.刻蚀技术(Etch, dry etch wet etch) CMOS集成电路制造工艺主要有以下几步: 1.图形转换 :将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 2.掺杂 :根据设计的需要,将各...
半导体工艺制程技术 由双极型工艺,发展至PMOS工艺技术,NMOS工艺技术 ,但都存在功耗的问题,最后进化到 低功耗的CMOS技术 ,而CMOS技术变成现在工艺主流,但随着应用环境的发展,...
如果有人问你,芯片的原料是什么,大家肯定都会轻而易举的给出答案是硅。这是不假,但硅又来自哪里呢?其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧,价格昂贵,结构复杂,功能强...
随着技术的飞速发展,商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性,亟需通过创新技术手段攻克相关技术...