[芯片制造] WLCSP封装TVS管的异常漏电分析（一） 日期：2025-06-30 20:54:00 点击：179 好评：0
背景 WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package，晶圆级封装) 凭借微型化、高效能、低成本等优势广泛应用于各类芯片，同时也适用于MOSFET和TVS(Transient Voltage Suppressor) 管等分立器件。例如Nexperia的...
[芯片制造] TVS管漏电失效分析：基于LIT、SEM与EDX技术（二） 日期：2025-06-29 21:47:12 点击：191 好评：0
在 WLCSP封装TVS管的异常漏电分析（一） 中，我们从电路板和器件两个层面分析了WLCSP封装TVS管出现异常漏电的原因，发现是由于PCB焊盘设计过大，使得焊接时焊锡溢出，接触到了芯片侧...
[芯片制造] 从晶圆到芯片：12步图解芯片封装全流程（上篇 日期：2025-06-29 21:22:49 点击：84 好评：0
【科普】半导体芯片制造八大步骤（下篇） 简要介绍了芯片封装的基本流程，为了更直观的理解这一过程，本文将以传统封装的芯片为例，通过一系列图片，逐步展示芯片封装的12步关...
[芯片制造] 基于ＬＥＤ不同封装类型散热分析 日期：2025-06-24 19:05:00 点击：205 好评：0
应市场要求，ＬＥＤ芯片功率不断增大，导致ＬＥＤ工作时结温升高，因此对产品的散热性能要求也越来越高。综合分析目前市场上ＬＥＤ灯的不同封装类型及研究现状后，本文基于Ｆ...
[芯片制造] MOSFET概述（8） 日期：2025-06-20 23:04:23 点击：178 好评：0
1. 基于速度饱和的MOSFET的IV 模型 之前讨论过MOS的IV理论是基于恒定的迁移率的，这次讨论基于速度饱和效应，其具体讨论如下： 由此可以推导出 当L很大时，上述两种Ids的计算等式一致...
[芯片制造] MOSFET概述（7） 日期：2025-06-20 22:58:29 点击：123 好评：0
这篇文章我们来讨论MOS管中的效应。 1.速度饱和VELOCITY SATURATION 在MOS管中载流子（电子或空穴）的运动速度不是无限增加的。当器件工作在高电场区域时，随着沟道内纵向电场强度的增...
[芯片制造] 芯片测试中的关键环节：Trim 技术深度解析 日期：2025-06-18 20:36:00 点击：122 好评：0
在半导体芯片的研发与生产过程中，Trim（修调/微调）是一个至关重要的环节。它通过对芯片电路参数的精细调整，确保芯片在复杂的制造工艺和多变的使用环境中，能够稳定地达到设...
[芯片制造] 什么是芯片可测性设计（DFT）技术？ 日期：2025-06-18 19:21:00 点击：85 好评：0
在当今数字化时代，芯片作为现代科技的核心，其复杂度和重要性都在不断攀升。从智能手机到AI，从汽车电子到IOT，芯片无处不在，而其质量的优劣直接决定了产品的性能和可靠性。...
[芯片制造] 芯片测试中，什么是hard fail呢？ 日期：2025-06-16 20:41:00 点击：152 好评：0
在芯片测试中， Hard Fail（硬性失效） 是最直接、最致命的失效类型。它通常意味着芯片某部分已经发生了不可恢复的物理性损坏或逻辑性错误，即使改变测试条件、重复测试，永远无...
[芯片制造] 芯片测试中，抬高电压测试能够提高pass ratio是否 日期：2025-06-16 15:59:18 点击：203 好评：0
芯片测试中抬高电压后能通过测试，本质上相当于放松了Spec（规格限制）， 这是一种宽容测试条件、提高可通过性的做法。 一、背景：为何 芯片测试要设定Spec？ 芯片的Spec（规格）是...
