[芯片制造] 什么是芯片可测性设计（DFT）技术？ 日期：2025-06-18 19:21:00 点击：263 好评：0
在当今数字化时代，芯片作为现代科技的核心，其复杂度和重要性都在不断攀升。从智能手机到AI，从汽车电子到IOT，芯片无处不在，而其质量的优劣直接决定了产品的性能和可靠性。...
[芯片制造] 芯片测试中，什么是hard fail呢？ 日期：2025-06-16 20:41:00 点击：262 好评：0
在芯片测试中， Hard Fail（硬性失效） 是最直接、最致命的失效类型。它通常意味着芯片某部分已经发生了不可恢复的物理性损坏或逻辑性错误，即使改变测试条件、重复测试，永远无...
[芯片制造] 芯片测试中，抬高电压测试能够提高pass ratio是否 日期：2025-06-16 15:59:18 点击：256 好评：0
芯片测试中抬高电压后能通过测试，本质上相当于放松了Spec（规格限制）， 这是一种宽容测试条件、提高可通过性的做法。 一、背景：为何 芯片测试要设定Spec？ 芯片的Spec（规格）是...
[芯片制造] MOSFET概述（6） 日期：2025-06-13 23:03:24 点击：204 好评：0
今天不讨论mosfet，讨论一下其他类型的半导体器件。 1. GaAs MESFET 相比较一般mosfet, GaAs器件有着更高的载流子迁移率，这使得载流子移动更快，器件也拥有更快的速度，这为微波通信领域...
[芯片制造] MOSFET概述（5） 日期：2025-06-13 20:48:00 点击：205 好评：0
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种基本的半导体器件，它由源极（source）、栅极（gate）、漏极（drain）和体区（body或substrate）组成。 MOSFET的电流-电压特性可以通过不同...
[芯片制造] MOSFET概论（4） 日期：2025-06-13 19:36:00 点击：246 好评：0
一. MOSFET Vt, BODY EFFECT, AND STEEP RETROGRADE DOPING MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的Vt（阈值电压）、Body Effect（体效应）以及Steep Retrograde Doping（陡峭逆向掺杂）是比较关键的概念...
[芯片制造] MOSFET概述（3） 日期：2025-06-10 21:55:49 点击：244 好评：0
1.MOS中的电流 决定MOSFET电流的一个重要因素是表面反型层中的电子或空穴迁移率，即SURFACE MOBILITIES AND HIGH-MOBILITY FETS。 迁移率描述了在施加电场作用下，载流子在半导体中沿着电场方向...
[芯片制造] MOSFET概论（2） 日期：2025-06-10 19:39:00 点击：244 好评：0
MOSFET结构和工作原理 1.MOSFET的结构 VGS 来控制沟道的导电性,从而控制漏极电流 ID , 是一种电压控制型器件. 2.MOSFET的工作原理 当 VGS ＜ VT （称为阈值电压）时,源漏之间隔着P区,漏结反偏...
[芯片制造] MOSFET 概论（1） 日期：2025-06-09 22:25:47 点击：267 好评：0
以硅基器件为代表的半导体器件在电子信息技术及产业中的应用使人类社会已进入了信息化、网络化时代. 在全球信息化和经济全球化的进程中, 以通信、计算机、网络、家电为代表的信...
[芯片制造] 芯片是如何制造的？（4） 日期：2025-06-08 19:19:01 点击：143 好评：0
一.刻蚀技术（Etch, dry etch wet etch) CMOS集成电路制造工艺主要有以下几步: 1.图形转换 ：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 2.掺杂 ：根据设计的需要，将各...
