[芯片制造] 半导体芯片制造光刻成本的详解； 日期：2024-03-07 20:12:00 点击：169 好评：0
据semianalysis报道，他们正在密切跟踪的一个项目是光刻支出如何随着各种节点缩小而演变。这项研究最初是从28 nm开始，然后从第一代 FinFET 节点发展到第一个 EUV 节点，再到第一个 Ga...
[相关技术] 静电放电(ESD)测试标准和方法的详解； 日期：2024-03-07 19:04:00 点击：157 好评：2
静电放电即ESD（Electro-Staticdischarge），是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此...
[相关技术] 什么是FC覆晶封装Flip Chip Package？（PCB电路板与载 日期：2024-03-05 20:17:56 点击：273 好评：0
覆晶封装Flip Chip Package于无铅化之蜕变 覆晶载板的制造 1.覆晶载板FC Carrier是一种HDI增层(Build up)式多层板。其中Core板为高Tg(220℃)刚性强与超薄铜皮(5m)的特殊板材。而增层者则一律为A...
[芯片制造] 深度学习对于计算机架构和芯片设计的影响（二 日期：2024-03-05 19:44:29 点击：120 好评：0
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[相关技术] 一文了解芯片封装及底部填充(Underfill)技术（下） 日期：2024-03-03 20:16:00 点击：409 好评：0
不同底部填充( Underfill )技术 自underfill在工业生产中广泛应用以来，已经发展出几种典型的underfill，包括 毛细流动型 底部填充胶 （Capillary Underfill,CUF）、 非流动型底部填充胶 （No-Flo...
[相关技术] 射频芯片基础知识培训（下） 日期：2024-03-03 19:01:45 点击：108 好评：0
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[芯片制造] IGBT温度估算----论文研读1 日期：2024-03-02 20:40:34 点击：162 好评：0
最近忙着做IGBT结温相关内容，之前没做过，所以研究了段时间，略有成果后分享给各位，当然，有大神来指点一二更好，本篇会以论文解读分享为切入。 本着宁缺毋滥的想法并没有一...
[芯片制造] IGBT温度估算----论文研读2 日期：2024-03-02 19:18:00 点击：100 好评：0
引言： 上篇说到了IGBT、二极管的导通损耗和开关损耗是随着母线电压增大而增大的；同理，也可以知道 IGBT开通损耗 与 二极管反向恢复损耗 在特定母线电压下是随着温度的上升而增加...
[芯片制造] IGBT温度估算----公式推导3 日期：2024-03-01 22:42:00 点击：157 好评：0
续杯之前的补充： 说明一下，前两篇的研读分享并不是说只看这两篇文章就可以了，拿出来的如果真耐心看完原论文肯定有更加深刻的理解，这里分享的目的是方便大家学习，论文有利...
[芯片制造] 芯片规划与设计 日期：2024-03-01 20:42:30 点击：183 好评：0
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