[芯片制造] 半导体IGBT模块静态参数的详解； 日期：2024-03-20 21:06:52 点击：536 好评：0
工程师们在选型IGBT模块时，无一例外要看datasheet，那么规格书中标注的哪些参数需要重点关注？这些参数代表什么意义？对功率驱动的设计有什么帮助呢？本期就跟大家一起来讨论这个...
[芯片制造] 轻松了解功率MOSFET的雪崩效应 日期：2024-03-20 18:04:00 点击：358 好评：0
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动...
[芯片制造] 功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？ 日期：2024-03-20 17:27:06 点击：476 好评：2
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动...
[芯片制造] 芯片半导体基础知识 日期：2024-03-19 19:21:00 点击：311 好评：4
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[芯片制造] AEC-Q100车规芯片验证G1：MS - Mechanical Shock 机械震动 日期：2024-03-18 20:46:00 点击：415 好评：0
AEC-Q100文件，是芯片开展车规等级验证的重要标准和指导文件，本文将重点对G组的第1项MS - Mechanical Shock机械震动项目进行介绍。 AEC Q100 表格2中G组内容 MS - Mechanical Shock 机械振动 我们先...
[芯片制造] AEC-Q100车规芯片验证G2：VFV - Variable Frequency Vibra 日期：2024-03-18 20:20:54 点击：431 好评：2
AEC-Q100文件，是芯片开展车规等级验证的重要标准和指导文件，本文将重点对G组的第2项VFV - Variable Frequency Vibration变频震动项目进行介绍。 AEC Q100 表格2中G组内容 VFV - Variable Frequency Vi...
[芯片制造] 3D NAND的沟道通孔是怎么做出来的？ 日期：2024-03-17 16:53:00 点击：436 好评：0
在3D NAND的制造过程中，一般会有3个工序会用到干法蚀刻，即：台阶蚀刻，沟道通孔蚀刻以及接触孔蚀刻。上期，我们介绍了台阶蚀刻， 《3D NAND的台阶蚀刻（刻蚀）》 什么是沟道通孔？...
[芯片制造] 3D NAND的主要工艺流程 日期：2024-03-17 16:17:45 点击：65 好评：0
3D NAND绝对是芯片制程的天花板，三星，海力士，英特尔，长江存储等都有3D NAND的产线，代表了一个国家的芯片制造水平。今天，我们就来剖析一下3D NAND的主要制作流程。 1，基底准备...
[芯片制造] 第五章微电子芯片的失效分析 日期：2024-03-09 21:42:06 点击：193 好评：0
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[芯片制造] MEMS工艺——半导体制造技术（四） 日期：2024-03-08 20:20:00 点击：158 好评：0
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