 一、Memory IC简介每种IC在设计阶段都会设定其特定的规格和性能参数，生产制造过程将严格依据这些规格进行。测试设备的作用就是检测生产出的IC是否符合既定规格要求。 关于IC规格，不同产品或不同制造商会存在一定差异。测试程序将根据厂商提供的规格参数进行编写，并通过控制硬件单元来生成所需的测试信号。 以下是某内存IC读取数据的周期时序图。要顺利完成该操作，必须根据规格表明确定义以下关键参数： ① IC工作电源（Vcc、Vss） ② 输入信号电压（IC输入端口） ③ 输出数据电压（Vout）及预期状态比对（0/1） ④ 各信号时序边沿（Timing Edge） ⑤ 地址和数据模式（Pattern）  二、Memory IC测试在IC测试流程中，主要包含晶圆测试（Wafer Test）和封装后终测（Package Final Test）。针对内存IC的测试项目，可大致分为以下三类： 1. 直流参数测试 主要用于测量集成电路的直流电压或电流参数。 1.1 开路/短路测试（Open/Short Test）——接触测试（Contact Test）
测试模块（Testing Module）
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| 引脚类型 | 测试电压条件 | 备注 |
| 目标输入引脚 | 低电平（0V） | 待测引脚 |
| 其他输入引脚 | 高电平（7V） | 非待测引脚偏置条件 |
| I/O引脚 | 开路（Open） | 高阻抗状态 |
测试参数
· 漏电流限值（Limit）：-10μA ~ +10μA· 测量精度要求：±1μA
测试说明
本测试用于验证IC在以下条件下的输入引脚漏电流特性：
1. 极限工作电压条件（5.5V）
2. 输入端施加极限偏置电压（0V/7V）
3. 确保待测引脚与其他电路隔离（开路状态）
