 对于在28 nm 节点的半导体芯片工艺流程大体可以分成：晶圆片——前段制程（FEOL）——后段制程（BEOL）——封装测试——成品芯片。 前段制程（FEOL） 1.STI主要是通过填充SiO2对相邻器件进行有效隔离，防止漏电，采用HARP高深宽比填充工艺； 2.P/N Well中有时候会存在DNW（Deep N Well）,隔离P Well 和substrate，也抑制P型阱漏电和衬底噪声； 3.Hk介质主要是随着器件尺寸减小，要求栅极控制能力不变，但是栅氧厚度又不能无限减小，最终采用高k介质填充，保证栅极控制能力，同时漏电流也在允许范围内； 4.Poly这里是先用Si做假栅，后面掏空后填充金属栅极； 5.LDD 是浅掺杂源漏级，抑制热载流子效应； 6.SiGe 提升PMOS速度； 7.MG 这里主要是调整栅极功函数，从而得到合适的器件Vt。 后段制程（BEOL） 1.后段金属互连采用Cu, 因此对应采用大马士革工艺，先挖槽挖孔，后电镀填充，最后平坦化； 2.TM 顶层金属可以CD做大些，厚一点，有利于大电流通过； 3. PAS 作为钝化保护，直接和外界封装连线，开焊盘窗口。 |
