了解了常见的IC 失效分析方法后，我们来实战演练一下Fail IC 失效分析定位。以下为量产中出现package 失效时常见的处理步骤
o 探头频率：30.00 MHz（高分辨率，适用于芯片级缺陷检测） |
| 坐标 | TOF (μs) | PV值 | 物理意义 |
| (823, 804) | 15.269 | -128 (-100%) | 完全分层（空气界面，信号全反射） |
| (625, 1030) | 15.389 | -127 (-100%) | 完全分层（同上） |
| (970, 805) | 15.319 | -97 (-76%) | 部分分层/弱粘接（信号部分反射） |
| (973, 1031) | 15.449 | -86 (-68%) | 轻微界面分离（粘接不良） |
坐标4 (15.269 μsec)≈ Desired TOF，说明坐标4位于预期检测的目标界面深度，其他点深度略有差。
坐标3 (15.319 μsec) 和坐标1 (15.389 μsec) 接近但略高于 Desired TOF。坐标2 (15.449 μsec) 显著高于 Desired TOF。
Amplitude:在幅度成像模式下，低幅度（负值，报告中表现为暗点）通常表示超声波在该位置发生了强烈的反射或散射
坐标1，4，3，2都出现了负幅度值，说明这些地方可能有分层，空洞，Crack，或者异物。
结合TOF和 Amplitude 数据坐标1&4可能出现了大面积的空气分层，坐标3&2可能出现了Crack或者空洞。
且这四个点坐标比较分散，说明是封装本身出现了较严重的可靠性问题。
TOF与PV的关联解析：
o TOF偏差：所有点的TOF均高于Home TOF(15.879us) 但坐标4 (823,804) 精确匹配Desired TOF（15.268us）表明该位置存在设计预期的界面（如芯片表面/底座）
o PV=-128/-127：表示信号100%反射（典型空气层特征），确认分层缺陷
o PV>-100：如-97/-86，表明界面存在材料接触但粘接强度不足
失效机制推断：
o 坐标4(823,804) 和 坐标1(625,1030)：严重分层 → 可能位于芯片与基板粘接层或塑封料与芯片界面
o 坐标3(970,805) 和 坐标2(973,1031)：部分分层 → 可能为焊球裂纹或底部填充胶空洞
成因假设：
o 工艺问题：回流焊温度曲线异常、环氧树脂固化不足
o 材料应力：CTE不匹配导致热循环后界面剥离
o 污染：界面氧化或杂质（如助焊剂残留）
