 AEC-Q200的环境试验条件AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但高温下的工作寿命是必要的，温度循环和温度冲击，它们的测试目的和手法是不同的，温度循环下的高低温的变化需要温变率的控制，温冲击就不需要了，偏高湿度是通常所说的高温高湿测试，湿度抵抗是湿冷冻测试； 试验条件注意事项： 1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测。  高温储存(MIL-STD-202-108) 薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h； 电感、变压器、电阻：125℃/1000h； 变阻器：150℃/1000h； 钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：最大额定温度/1000h。  高温工作寿命(MIL-STD-202-108) 网络低通滤波器、网络电阻：85℃/1000h； EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定IL； 钽电容、陶瓷电容：最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压； 铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h； 薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压； 自恢复保险丝：125℃/1000h； 电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压； 可变电阻：125℃/1000h/额定功率； 变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流； 陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容； 石英震荡器：125℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容； 温度循环(JEDEC22A-104) 薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器： -55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles； 钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles； 铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles； 电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles； 网络低通滤波器、网络电阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles；  温度冲击(MIL-STD-202-107) 自恢复保险丝： -40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles； 偏高湿度(MIL-STD-202-103) 钽电容、陶瓷电容：85℃/85%R.H./1000h/电压1.3～1.5V； 电感&变压器：85℃/85%R.H./1000h/不通电； 铝电解电容：85℃/85%R.H./1000h/额定电压 ； EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压＆电流； 电阻、热敏电阻：85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%； 自恢复保险丝：85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%； 可变电容、可变电阻：85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%； 网络低通滤波器&网络电阻：85℃/85%R.H./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)]； 变阻器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压85％+ma电流； 石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%R.H./1000h/额定；VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容； 薄膜电容：40℃/93%R.H./1000h/额定电压； 湿度抵抗(MIL-STD-202-106) 薄膜电容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电；  |
