 1.二极管的测试二极管作为集成电路chip中重要的功能部分，对于n型二极管，它是两端器件，它的两个端口阴极（n型有源区）和阳极（PW）分别连到PAD_N和PAD_P。对于p型二极管，它是二端器件，它的二个端口阴极（p型有源区）和阳极（NW）分别连到PAD_P和PAD_N。WAT测试机器通过这二个端口把电压激励信号加载在二极管两端，从而测得所需的电性特性参数数据。  二极管的测试参数电容（Cjun）和击穿电压（BVjun） · 电容（Cjun） 测量n型二极管和p型二极管的结电容Cjun的基本原理是在二极管的一端加载AC 100kHz扫描电压，另一端接地，从而测得电容C，Cjun=C/Area，Area是电容的面积。 测量n型二极管结电容Cjun的基本方法是首先在n型二极管的一端n型有源区上加载AC 100kHz（VDD或者VDDA）扫描电压，另一端PW上接地，从而测得电容C，Cjun=C/Area。 测量p型二极管结电容Cjun的基本方法是首先在p型二极管的一端NW衬底上加载AC 100kHz（VDD或者VDDA）扫描电压，另一端p型有源区上接地，从而测得电容C，Cjun=C/Area。  · 击穿电压（BVjun） 击穿电压（BVjun测量n型二极管和p型二极管的击穿电压BVjun的基本原理是在二极管的一端加载反向电压，另一端接地，从而测得漏电流Ib，得到单位面积电流强度Ib/Area,当电流强度达到100pA/μm2时，pn结被电压击穿。 影响二极管的因素包括以下几方面：1）阱离子注入异常；2）n+或者p+离子注入异常；3）离子注入损伤在退火过程中没有激活；4）AA刻蚀尺寸异常。 2.CMOS工艺技术平台的电容的测试 CMOS工艺技术平台的电容包括MIM和PIP（Poly Insulator Poly）和MOM（Metal Oxide Metal）。PIP主要应用在0.35μm及以上的亚微米及微米工艺技术，MIM主要应用在0.35μm及以下的深亚微米工艺技术，纳米工艺技术会用到MOM。下图为常见的PIP与MIM 版图  它们的两个端口是上极板（Top）和下极板（Bottom）分别连接到PAD_P1和PAD_P2。为了更好地与衬底隔离，PIP测试结构是设计在NW里，NW连接到PAD_B，PAD_B接地。衬底对MIM的影响非常小，把MIM测试结构设计在PW里，WAT测试机器通过上极板和下极板这两个端口把电压激励信号加载在MIM和PIP，从而测得所需的电性特性参数数据。  MIM和PIP电容是设计混合信号电路的重要器件，它们的准确性严重影响电路性能，芯片代工厂通过两个WAT参数监测MIM和PIP，这两个WAT参数分别是电容C和击穿电压BV。 · 电容C 基本原理是在电容的上极板加载100kHz扫描电压，下极板接地，从而测得电容C，Cjun=C/Area，Area是电容的面积。 · 击穿电压BV 与测量MOS晶体管器件栅极氧化层击穿电压类似，基本原理在电容的上极板加载DC扫描电压，另一端接地，从而测得漏电流Ib，得到单位面积电流强度为Ib/Area,当电流强度达到100pA/μm2时，电容被电压击穿，此时加载在电容两端的电压就是击穿电压。 · 影响因素 1.PIP和MIM的电介质厚度异常 2.PIP和MIM的刻蚀尺寸异常； |
