 半导体ATE测试-IDD测试电源电流（IDD）表示 CMOS 电路中从漏极流向漏极的电流（在TTL 电路中称为ICC，意为集电极到集电极)IDD 可等价为:  静态 IDD 测试 静态IDD是在DUT处于静态时（DUT在测试期间没有激活）对DUT的 VDD引脚电流的测量。静态IDD的值表示DUT的最低电流消耗，这对电池供电的设备非常重要，也有助于边缘缺陷扫描。 测试方法 静态IDD测试是在DUT预设为最低电流消耗逻辑状态时，施加VDDmax 电压并测量电流值。  1. 向VDD引脚施加最大VDD电压（使用电流钳）。 2. 将DUT预设为最低电流消耗逻辑状态。 3. 测量流入VDD引脚的电流： 高于规格值(>10uA):失败 低于规格值(<10uA):PASS 动态IDD测试 动态IDD是在DUT持续执行某些功能时，对DUT VDD引脚电流的测量。动态IDD对电池供电设备也很重要。 测试方法 动态IDD测试是在DUT处于连续工作状态的前提下，施加最大VDD电压并测量电流值。  1. 向VDD引脚施加最大VDD电压（使用电流钳）。 2. 将DUT预设为连续工作状态。 3. 测量流入VDD 引脚的电流： 高于规格值(>50mA):失败 低于规格值(<50mA):通过 静态IDD测试 (IDDQ) 静态IDD是测量静态（电路不切换，输入保持在静态值）下的IDD。随着处理器的缩小，泄漏电流的缺陷变得越来越大，IDDQ测试可能会检测到。电路核心中无法检测到的微小缺陷。 测试方法  1.向VDD引脚施加最大VDD电压（使用电流钳）。 2.将DUT预设为某种工作状态（将某些功能部分切换为开/关，如蓝牙和 Wi-Fi）。 3.测量流入VDD引脚的电流： 高于规格值:失败 低于规格值通:过 4. 重复测试不同的工作状态 |
