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[转帖]由mos管测试所引申的一些知识点!

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发表于 2010-6-5 18:44:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
由mos管测试所引申的一些知识点!
Mos管测试,看似简单,实际测试项目的意义,很多有多年测试经验的工程师都未必明白,我有一个客户,他们公司的技术科长居然也不知道,现将个人经验分享,供大家参考,同时也希望各位大神指点一二!
VGS(TH):Gate Threshold Voltage。测试条件:VDS=VGS, ID=50uA,结果:1.2V----2V。
这个测试条件是datasheet上的语言,要首先翻译成测试语言才能进行测试,上次有个客户,打电话抱怨“们的测试机怎么回事,连VGS(TH)都测试不出来!我过去看,原来她就是把D和G端短接,在D短送一个50uA的电流,然后量测D端电压,说这么量都量不出1.2V----2V的电压,我心里想,能量出来就见鬼了!!!
这一项看似简单,其实蕴含着测试中的一个重要方法,软件闭环测试!即:扫描测试方法!
为了解释扫描测试,我就以这一项来说明。
试条件:VDS=VGS, ID=50uA,结果:1.2V----2V”翻译成测试语言就是“把D和G端短接,S接地,在D端加一个低于1.2V的电压,然后采用递增的方式,将电压逐步升高(比如0.05V步进),每变化一个步进,同步检测D端电流,当Id大于50uA时,此时的电压就是VGS(TH)。
所以软件闭环的意思就是“通过软件控制的方式扫描器件的一端,同时用软件控制同步检测器件。
简介完VGS(TH)测试,就提到了BVDSS测试,BVDSS就是Drain-Source Breakdown Voltage的意思,测试的是管芯的压电压。
我们先看看它的测试条件,:“VGS=0V, ID=1mA,结果:MIN: 650V”
不管单侧mos管,还是测试ic中集成的三极管/mos管,我不止一次遇到客户的工程师,搞不懂这一项的测试原理,问他们如何测,大多数回答是“给D端加个1mA的电流,量测D端就有650V电压”,按照datasheet或者测试规范给的条件,这样说法,对于不懂的人觉得很正确,可是这根本不符合能量守恒定律!!!
如果简单的一个小电流就可以产生一个大电压,那大电压芯片就不会那么贵了!
这个测试方法和上面的一样,也是软件闭环测试方法,具体翻译成测试语言就是“把S和G端接地,在D端加一个低于650V的电压,然后采用递增的方式,将电压逐步升高(比如5V步进),每变化一个步进,同步检测D端电流,当Id大于1mA时,此时的电压就是BVDSS。
BVDSS一般测试两次,而且两侧是接着测试的,很多人有不明白了,为何要连着测试两次呢?
测试两次是为了防止误测,所以测试两侧的条件不一样,请大家看看:<br/>BVDSS1:VGS=0V, ID=1mA&nbsp;&nbsp; MIN:650<br/>BVDSS2:VGS=0V, ID=1.5mA&nbsp;&nbsp; MIN:650
两项测试唯一不同的就是判断条件一个为1mA,一个为1.5mA
其实这样写,我们就可以知道,当电压达到PN节的耐压值得时候,ID绝对大于1.5 mA,由于电压达到耐压值得时候,电流是突变的,所以真实的ID可能是几百毫安!!!所以不管用1mA还是1.5mA判断,最终测得的耐压值都是一样的。如果两侧测得耐压值不同,或者相差在规定范围之外,就认为两次中有一次误测!!!!
其实耐压值也可以用钳位法,直接测试一次就可以精确地测试耐压值,这个测试方法能够精确地测试出PN节的耐压值。而且这个方法笔者已经验证过,得到客户的认可!!!
一般器件达到耐压值之后,id会迅速升高,大的可以达到几百毫安,时间长了会烧坏芯片,如何控制电流和时间,需要看具体应用,有兴趣探讨的的可以联系我。
本人QQ:304096767。
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发表于 2010-8-13 09:18:57 | 显示全部楼层
正確的解釋,小弟測了一年MOS,也是到後期才知道原理,對於剛接觸測MOS的新手很有幫助喔。<br/>謝謝大大的分享
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发表于 2010-10-17 10:50:30 | 显示全部楼层
和IC&nbsp; MOS器件的测试条件不一样啊
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发表于 2011-5-12 10:08:20 | 显示全部楼层
<p>哥们,讲的有造诣。<br/>你是做什么测试机的?</p>
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发表于 2014-3-13 15:48:19 | 显示全部楼层
学习了
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