标题: wafer 测试经验谈 [打印本页] 作者: ictest 时间: 2008-11-1 21:47 标题: wafer 测试经验谈 一般来说我们做Wafer Test的时候不做太大的电流（10A以上）测试，因为探针的容许电流不是很高，即使是比较好的悬臂式探针往往也不会超过1A,但是对于Automative的芯片，可能需要在Wafer Test时稍微测试一下大电流（一般不超多100A），这时候就需要仔细处理探针的连接问题 一个简单的例子： 我们需要在4A电流下测试，每根探针容许电流为1A： 测试电压压降为1V考虑到限流的作用，经计算我们选R/4=1Ohm电阻限流，请参考单电阻并联模式 看起来是没有问题的，但是实际上呢？ 由于Wafer Probel探针的压力不均衡，会使探针与Wafer表面存在一个接触电阻，经验值大约在10m Ohm - 1Ohm之间。假设其中3根针是500mOhm，一根是20mOhm6 I, L/ J K. X/ j4 p3 O 那么总共电阻为：(20m*500m/3)/(500m/3+20m)=18m Ohm7 }2 q I g! _ 此时通过20mOhm那根针的电流为4×18/20=3.6A!! 功率高达3.6×3.6×20m=0.26W，肯定是针毁Wafer亡了 所以我们必须使用多电阻并联模式才能避免这种事故。2 Z5 b' d; g |- T: x7 G# i2 X7 m 参考多电阻并联模式，在这种情况下我们使用4支R=4Ohm电阻分别接到4跟针上，即使再次出现其中3根针是500mOhm，一根是20mOhm的情况 每根针的电流变化也仅仅在0.92-1.08A之间，这样就很好的保护了探针与Wafer大电流、高电压测试是Wafer测试中的难点，其中很多涉及的经验的东西，所以在动手设计Probe Card之前切记多多考虑7 Z1 m! d" U- u作者: evenliu 时间: 2009-3-10 14:07
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