[转帖]由mos管测试所引申的一些知识点！
由mos管测试所引申的一些知识点！Mos管测试，看似简单，实际测试项目的意义，很多有多年测试经验的工程师都未必明白，我有一个客户，他们公司的技术科长居然也不知道，现将个人经验分享，供大家参考，同时也希望各位大神指点一二！
VGS(TH)：Gate Threshold Voltage。测试条件：VDS=VGS, ID=50uA，结果：1.2V----2V。
这个测试条件是datasheet上的语言，要首先翻译成测试语言才能进行测试，上次有个客户，打电话抱怨“们的测试机怎么回事，连VGS(TH)都测试不出来！我过去看，原来她就是把D和G端短接，在D短送一个50uA的电流，然后量测D端电压，说这么量都量不出1.2V----2V的电压，我心里想，能量出来就见鬼了！！！
这一项看似简单，其实蕴含着测试中的一个重要方法，软件闭环测试！即：扫描测试方法！
为了解释扫描测试，我就以这一项来说明。
试条件：VDS=VGS, ID=50uA，结果：1.2V----2V”翻译成测试语言就是“把D和G端短接，S接地，在D端加一个低于1.2V的电压，然后采用递增的方式，将电压逐步升高(比如0.05V步进)，每变化一个步进，同步检测D端电流，当Id大于50uA时，此时的电压就是VGS(TH)。
所以软件闭环的意思就是“通过软件控制的方式扫描器件的一端，同时用软件控制同步检测器件。
简介完VGS(TH)测试，就提到了BVDSS测试，BVDSS就是Drain-Source Breakdown Voltage的意思，测试的是管芯的压电压。
我们先看看它的测试条件，：“VGS=0V, ID=1mA，结果：MIN： 650V”
不管单侧mos管，还是测试ic中集成的三极管/mos管，我不止一次遇到客户的工程师，搞不懂这一项的测试原理，问他们如何测，大多数回答是“给D端加个1mA的电流，量测D端就有650V电压”，按照datasheet或者测试规范给的条件，这样说法，对于不懂的人觉得很正确，可是这根本不符合能量守恒定律！！！
如果简单的一个小电流就可以产生一个大电压，那大电压芯片就不会那么贵了！
这个测试方法和上面的一样，也是软件闭环测试方法，具体翻译成测试语言就是“把S和G端接地，在D端加一个低于650V的电压，然后采用递增的方式，将电压逐步升高(比如5V步进)，每变化一个步进，同步检测D端电流，当Id大于1mA时，此时的电压就是BVDSS。
BVDSS一般测试两次，而且两侧是接着测试的，很多人有不明白了，为何要连着测试两次呢？
测试两次是为了防止误测，所以测试两侧的条件不一样，请大家看看：<br/>BVDSS1：VGS=0V, ID=1mA MIN：650<br/>BVDSS2：VGS=0V, ID=1.5mA MIN：650
两项测试唯一不同的就是判断条件一个为1mA，一个为1.5mA
其实这样写，我们就可以知道，当电压达到PN节的耐压值得时候，ID绝对大于1.5 mA，由于电压达到耐压值得时候，电流是突变的，所以真实的ID可能是几百毫安！！！所以不管用1mA还是1.5mA判断，最终测得的耐压值都是一样的。如果两侧测得耐压值不同，或者相差在规定范围之外，就认为两次中有一次误测！！！！
其实耐压值也可以用钳位法，直接测试一次就可以精确地测试耐压值，这个测试方法能够精确地测试出PN节的耐压值。而且这个方法笔者已经验证过，得到客户的认可！！！
一般器件达到耐压值之后，id会迅速升高，大的可以达到几百毫安，时间长了会烧坏芯片，如何控制电流和时间，需要看具体应用，有兴趣探讨的的可以联系我。
本人QQ:304096767。 正確的解釋，小弟測了一年MOS，也是到後期才知道原理，對於剛接觸測MOS的新手很有幫助喔。<br/>謝謝大大的分享 和IC MOS器件的测试条件不一样啊 <p>哥们，讲的有造诣。<br/>你是做什么测试机的？</p> 学习了
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