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| 半导体基础知识与晶体管工艺原理之一 | |||||||||||
| 2010-08-14 转载请注明出处 http://www.ictest8.com | |||||||||||
本文讲解了半导体的一些基本概念和晶体管的制造工艺方面的原理,非常适合初入微电子行业的新人学习之用,可以说是半导体行业入门的通用教材,其实对于半导体行业,基础知识非常重要,基础知识的扎实与否,将直接影响到将来的发展,请新人自勉。 目录 第一章半导体的基础知识 1-1半导体的一些基本概念 1-1-1什么是半导体?……………………………………………………4 1-1-2 半导体的基本特性………………………………………………4 1-1-3 半导体的分类……………………………………………………4 1-1-4N型半导体和P型半导体……………………………………….5 1-1-5半导体的导电机构……………………………………………….6 1-2P-N结………………………………………………………………………9 1-2-1P-N结的构成…………………………………………………….9 1-2-2P-N结内的载流子运动和平衡…………………………………10 1-2-3P-N结的基本特性………………………………………………10 1-3二极管………………………………………………………………12 1-3-1 二极管的基本构成………………………………………………12 1-3-2二极管的特性曲线(伏安特性)…………………………….12 1-3-3二极管的分类……………………………………………………13 1-4晶体管(仅讲双极型)……………………………………………13 1-4-1晶体管的构成…………………………………………………….13 1-4-2晶体管的放大原理……………………………………………….15 1-4-3晶体管的特性曲线……………………………………………….18 1-4-4晶体管的分类……………………………………………………21 1-4-5晶体管的主要电参数……………………………………………21 第二章晶体管制造工艺与原理 2-1 典型产品工艺流程…………………………………………………24 2-1-1 晶体管的基本工艺流程…………………………………………24 2-1-2 典型产品的工艺流程……………………………………………24 2-2 晶体管制造主要工艺的作用与原理…………………………………25 2-2-1 氧化工艺…………………………………………………………25 2-2-2 扩散工艺…………………………………………………………26 2-2-3 离子注入工艺……………………………………………………..30 2-2-4 光刻工艺…………………………………………………………..31 2-2-5 蒸发(真空镀膜)工艺…………………………………………..32 2-2-6 CVD工艺…………………………………………………………..33 2-2-7 台面工艺…………………………………………………………..34 2-2-8 三扩、磨抛工艺…………………………………………………..35 2-2-9 清洗工艺…………………………………………………………..36 2-2-10 中测、划片工艺…………………………………………………36 2-3常见的工艺质量问题以及对产品质量的影响………………………….37 2-3-1 工艺质量问题分类…………………………………………………37 2-3-2 常见的工艺质量问题举例…………………………………………37 2-4工艺纪律和工艺卫生的重要性………………………………………….41 2-4-1 半导体生产对空气洁净度的要求…………………………………41 2-4-2工艺卫生的内涵…………………………………………………..42 2-4-3工艺卫生好坏对半导体生产的影响……………………………..42 2-4-4工艺纪律的内涵…………………………………………………..43 2-4-5工艺纪律的重要性………………………………………………..43 第一章半导体基础知识 1-1半导体的一些基本概念 1-1-1 什么是半导体? 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,叫做半导体。 物质的导电能力一般用电阻率ρ来表示。电阻率是指长1cm ,截面积为1平方厘米的物质的电阻值,单位是欧姆·厘米(符号是Ω-cm)。 电阻率越小,说明物质的导电性能越好;反之,电阻率越大,说明物质的导电性能越差。
1-1-2 半导体的基本特性 1 热敏特性——随着温度的升高,半导体的电阻率减小,导电能力明显的增强。 2 光敏特性——受到光线照射后,半导体的电阻率减小,导电能力大大增强。 3 杂质导电特性——在纯净的半导体中,加入微量的某些其它元素(通常,称之为“掺杂”),可以使它的导电能力成百万倍的提高。这是半导体的一个最突出的也是最重要的特性。人们正是利用半导体的这些特性,制成了二极管、晶体管、热敏器件、光敏器件等。也正是由于半导体的这种特性,在制造半导体器件的过程中,对工作环境的要求特别严格,以防有害杂质进入半导体而破坏器件的参数。 必须指出,以上特性只有纯净的半导体才具备。所谓纯净的半导体是指纯度在9个“9”以上,即99.9999999%以上。 1-1-3 半导体的分类 1 按化学成分——元素半导体和化合物半导体 2 按是否含有杂质——本征半导体和杂质半导体 3 按导电类型——N型半导体和P型半导体 4 按原子排列的情况——单晶和多晶 1-1-4N型半导体和P型半导体 1“载流子”——半导体中的导电粒子(运载电流的粒子):电子和空穴。 2“杂质”的概念——三、五族元素杂质(元素周期表中,三族:硼、铝、镓;五族:磷、砷、锑)——受主杂质和施主杂质。 3 施主杂质和受主杂质 有一类杂质(比如五族元素磷),它在掺入半导体中后,会产生许多带负电的电子,这种杂质叫“施主杂质”。(施放电子) 又有一类杂质(比如三族元素硼),它在掺入半导体中后,会产生许多带正电的空穴,这种杂质叫“受主杂质”。(接受电子) 4N型半导体和P型半导体 掺有施主杂质的半导体,其导电作用主要依靠由施主杂质产生的导电电子,我们称这种半导体为“N型半导体”(也叫“电子型半导体”)。 掺有受主杂质的半导体,其导电作用主要依靠由受主杂质产生的导电空穴,我们称这种半导体为“P型半导体”(也叫“空穴型半导体”)。 5 多子与少子 1)在本征半导体中,载流子靠本征激发产生,而且电子数=空穴数=本征载流子浓度。即,no=po=ni 2)在杂质半导体中,载流子主要靠杂质电离而产生,此时,杂质电离产生的载流子浓度远大于本征激发产生的载流子浓度。因此,在杂质半导体中,电子数≠空穴数。其中, 在N型半导体中:电子是多子,空穴是少子。而在P型半导体中:空穴是多子,电子是少子。 3)N型半导体和P型半导体的示意图(图1) |
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